鋁合金蝕（shí）刻加工中影響氧化膜硬度（dù）和氧化膜生長速度的因素
(1)電解液濃度的影響用H2SO;電解液進行硬質陽（yáng）極氧化時，其H2S認（rèn）濃度範圍在10緯-30%之間.當濃度低（dī）時，獲得的膜層硬度高（gāo），特別是純鋁更加明
顯。但對於含Cu量較高的（de）合金材料例外，因為含Cu量較高的合金中存（cún）在有CuA1:金屬化合物，在氧化過程中溶解速度較快（kuài），易成（chéng）為（wéi）電流聚集中心而被擊
穿.所以對含Cu量較高的合金材料，應采用較高濃度的H2 S04電解液進行硬質氧（yǎng）化。
(2)電（diàn）解液溫度電（diàn）解液溫度對氧化（huà）膜層的硬度和耐磨性有較大影響.一般來講，溫度越低，膜層耐磨性增大.主要是因為在低溫情況下，電解液（yè）對膜的溶解作用（yòng）明顯（xiǎn）減弱（ruò），為了獲得耐磨、硬度（dù）高的膜層，應采用低（dī）溫氧化，並（bìng）控製溫度變（biàn）化（huà）不可超過士2℃為宜.如采用純鋁來進行硬質陽（yáng）極氧化，溫度接近0℃時其硬度反而下降。所以為了獲得高硬度氧化膜層（céng），對於有（yǒu）包鋁的工件，在4-8℃的條件下進行硬質陽極氧化（huà）為宜.

(3)電流密度提高電流密度，氧化（huà）膜生長速度加快，氧化（huà）時間縮短，膜（mó）層被（bèi）H2SO‘溶（róng）解時間減少，膜層溶解量減少，膜層硬度和耐磨性提高.但當電流（liú）密度超過極限電流（liú）時，由於氧（yǎng）化時（shí）發熱（rè）量大增，使陽極工件界麵溫度過高，膜的溶解速度加快（kuài），膜的硬度反而降（jiàng）低。如（rú）電流密（mì）度過低（dī），電壓升高過於緩慢，雖（suī）然發熱量減少，但要獲得（dé）較厚的氧化膜，氧化時間必然加長，導致膜層受（shòu）H2SO;溶解的時間延長，所以氧化膜硬度降低.關於電流密度和氧化膜硬度、耐磨性、氧化膜生（shēng）長速度的關係比較複雜，要想得到理想（xiǎng）的氧（yǎng）化膜層，要根（gēn）據不同的合金材料來選擇合適的電流密度，通（tōng）常取2 – 2. /dm2
(4)合金成分的影響（xiǎng）鋁合金成分和雜質對硬質氧化膜的（de）質量有較大（dà）影響。主要表現（xiàn）在對膜層的均勻性和完整性的影響。對（duì）於（yú）Al-Cu, Al-Si, Al-Mn合金，采用直（zhí）流電（diàn）硬質陽極氧化困（kùn）難較大。當合（hé）金（jīn）中Cu含量超過5緯、Si含量超過7.5%時，不適宜采用直流硬質陽極氧化。如采用交直流疊加或脈衝電流法進行硬質陽極氧化，合金元素及雜質含量範圍可以擴大。
(5)氧化膜層生長速度提高電流（liú）密度和降低電解液溫度時，氧化膜層生長速度提高.電解液濃度低（dī）時，對膜（mó）層的溶解量減少，可促使氧化膜層的生長。欲獲得致密、耐蝕性（xìng）強的（de）氧化膜（mó）層，必須降低膜的生長速度.