蝕刻加工技術實現（xiàn）原理

　　蝕刻加工通（tōng）過可控（kòng）的化學反應實（shí）現（xiàn）材料微米級去除。采用三氯（lǜ）化鐵蝕刻液（yè）時，銅的蝕刻（kè）速率為0.12mm/min±5%，不鏽鋼為0.08mm/min±3%。加工精度達到±0.005mm，最小可（kě）形成0.03mm的精細結構。溫度控製係統保持溶液在28±1℃工作區間，pH值穩定在3.2-3.8範圍。

　　工藝控製節點

　　前處理環節

　　脫脂槽（cáo）NaOH濃度6.5%

　　酸洗采用15%硫酸溶液

　　水洗電阻率≥15MΩ·cm

　　圖形轉移階（jiē）段

　　幹膜厚（hòu）度（dù）20±2μm

　　曝光能量135mJ/cm²

　　顯影Na2CO3濃（nóng）度1.2%

　　蝕刻參數

　　噴淋壓力0.3MPa

　　溶液比重1.35g/cm³

　　傳送速度1.2m/min

　　設（shè）備配置要求

　　係統模塊技術指（zhǐ）標恒溫係統±0.5℃控製精度過濾裝置5μm過濾精度廢氣處理酸（suān）霧收集效率≥98%自動補液濃度波動≤±2%

　　行業應用數據

　　2025年全球蝕刻加工市場規模預（yù）計突（tū）破95億美元。在半導體封裝領域（yù），蝕刻工藝（yì）貢獻了38%的引線框架製造成本。新能源汽車電池模組中，蝕刻件占比從2020年的12%提升至2025年的53%。5G基站濾（lǜ）波器采（cǎi）用蝕刻工藝後，產品良率提升至94.7%。