半導體封裝是芯片功能實現的最（zuì）後關鍵環節，蝕刻工藝在此階段（duàn）承擔著互連（lián）結構成形與界麵優化的核心任務。

高密度互連結構加工（gōng）
先進封裝（zhuāng）技術如Fan-Out（扇出型封裝）要求晶圓表麵加工微凸點與再布線層。濕（shī）法蝕刻通過控製銅層的選擇性腐蝕，形成直徑小（xiǎo）於10微米的銅（tóng）柱凸點。磷酸與硫酸的（de）混合溶液在恒溫條件下（xià）實現各向同（tóng）性腐蝕，確保凸點高度一致性。幹法蝕刻則用於去除介電（diàn）層中的殘（cán）留（liú）金屬，通過氧等離子體與氟碳氣體的交替作用，實現介質開口的（de）垂直剖麵控製。

三維堆疊封裝應用
矽通孔（TSV）技術依（yī）賴深度反應（yīng）離子蝕刻（DRIE）形成貫穿矽（guī）片的垂直通道。工（gōng）藝采用“博世法”循環：SF₆氣（qì）體在等離子體狀態下實現矽（guī）的快速蝕刻，隨後通（tōng）入（rù）C₄F₈氣體在側壁沉積氟碳聚合物鈍化層。這種交替循環可加工出深寬比超過20:1的通孔結構，同時維持側壁粗糙度低於50納米，確保（bǎo）後續銅填充的電學（xué）可靠性。

封裝（zhuāng）基板表麵處理
有機（jī）基板（如ABF材料）的（de）銅線路蝕刻需（xū）平衡精度與效率。堿性氯（lǜ）化銅蝕刻液通過噴淋係統實現動態腐蝕，配合光學終點檢測係（xì）統實時監控蝕刻深度。對於高頻信號傳輸（shū）要求的封裝基板，采用半加成法工藝（mSAP）可減少側蝕（shí）效應，實（shí）現3微米線寬精（jīng）度，滿足5G毫米波器件的阻抗（kàng）控製需求。