微機電係統（MEMS）將機械結構與（yǔ）電子電路集成於微小尺度，蝕刻工藝通過各（gè）向異性控製與材料兼容性設計，成為MEMS器件製造的核心技術。

矽基加（jiā）速度計的質量塊與（yǔ）懸臂梁結構需通（tōng）過深度反應離子蝕刻（DRIE）實現。工藝交替進行蝕刻（kè）與鈍化步（bù）驟：氟基氣體在等（děng）離子體狀態下轟（hōng）擊矽表麵實現垂（chuí）直刻蝕，隨後通入含碳氣體形成側壁保護層。這種“博世工藝”可加（jiā）工出（chū）深寬比超（chāo）過50:1的腔體結構，同時保持側壁近90度的垂直度，確保可動部件（jiàn）的機械靈敏度。

壓電MEMS器件的（de）製造對工藝提出更高要求。氮化鋁或（huò）鋯鈦酸鉛（PZT）薄膜的蝕刻需采用低損傷工（gōng）藝，氬離子束輔助物理轟擊可精確（què）移除材料，避免化學蝕刻導致的晶格損傷。工藝過程中需嚴格控製離子能量（liàng）與入（rù）射角度，以維持壓電係數與介電常數的穩定（dìng）性。

微流控芯片的加工則體（tǐ）現濕法蝕刻與材料選擇的協同。玻璃基板通過氫氟酸溶液腐蝕形成微米級流（liú）道，蝕刻速率與（yǔ）表麵粗糙度的平衡（héng）直接（jiē）影（yǐng）響流體的流動特性。聚合物材料（如PDMS）的蝕（shí）刻需（xū）采（cǎi）用氧等離子體處理，通過氧化反應實現微結構的精準成形。此類（lèi）芯片在生物檢測、藥物篩（shāi）選等領域展現出高效性與低（dī）成本（běn）優勢（shì）。