從20世紀的晶體（tǐ）管到如今的5納米芯片，蝕刻工藝始終是半導體技術（shù）迭代的幕後功臣（chén）。它（tā）的每一次革新，都在為電子（zǐ）設備的速度與能效寫（xiě）下新定義。

半導體製造的蝕刻革命
在芯片製造中，蝕刻（kè）技術直接決（jué）定晶體管的密度與性能。以FinFET結構為例（lì），其立體的鰭狀溝道需通過多次蝕刻與沉積循環完成，任何一次蝕刻的偏差都會導致漏電（diàn）或性能下降。先進工藝（yì）中，多重曝光技術與高深寬比蝕刻的結合，使芯片能在單位麵積內集成百億晶體管（guǎn）。

幹法（fǎ）蝕刻的王者地（dì）位
等離子體蝕刻憑借其各（gè）向異性（垂直刻蝕）能力，成為半導體行業的主流技術。通（tōng）過調節氣（qì）體成分（如Cl₂、CF₄），可實現對矽、金屬或氧化物的選擇性刻蝕。例如，在刻蝕矽時加入（rù）HBr可提升側壁光滑度，而添加O₂則（zé）能增強對光刻膠的保護。

材料（liào）擴展與新方向
隨著第三代半導體（tǐ）（如碳化矽、氮化镓（jiā））的興（xìng）起，蝕刻工藝麵臨新挑（tiāo）戰。傳統矽蝕刻的化學配方對這些（xiē）寬禁帶材（cái）料效果有限，需開發新型氣體組合（如SF₆/O₂混合氣（qì）體）以實現高速率、低損傷的（de）加（jiā）工。

從實驗室到量產的技術跨越
蝕刻設備的研發需兼顧精度與效率。例如，深矽蝕刻（DRIE）技術通過交替進（jìn）行刻蝕與鈍化步驟，可在矽片上加工出深寬比超過50:1的結（jié）構，廣泛應用（yòng）於MEMS陀螺儀（yí）和生（shēng）物芯片。