智能手機、人工智能芯片、5G通信設備……這些高科技產品的誕生，離（lí）不開一項“隱（yǐn）形”技術——金屬蝕（shí）刻。它在微觀尺度上的精確控製，構築了現代電子工業的根基。

‌納米（mǐ）級精度的製造密碼‌

以半導體芯片為（wéi）例，其（qí）內部集成了數十億個晶體管，每個結構的（de）寬度僅相當於頭（tóu）發（fā）絲的萬分之一。通過等離子體幹蝕刻技術，工程師能在矽（guī）片上雕刻（kè）出複雜的立體電路。這種工藝利用（yòng）高能（néng）離子束轟擊材料表麵，逐層剝離未被光刻膠保護的區域，精度可達原（yuán）子級別。

‌突破材料極限的（de）創新‌

隨著第三代半導體材料（如碳化（huà）矽、氮（dàn）化镓）的興起，傳統機械加工難以應對其超高硬度。蝕刻技術通過調整氣體配方（fāng）（如六氟（fú）化硫與氧氣的混合），實現對這些材料的定向刻蝕，滿足高溫、高頻電子元件的加工需（xū）求。

‌行業挑戰與解決方（fāng）案‌

當前，3D堆疊芯片（piàn）的興起對蝕刻的深寬比提出更高要求。深反應（yīng）離子蝕刻（DRIE）技術采用脈衝式刻蝕與鈍化交替進行，可在矽片上打出深度超過100微米、側壁垂直度達89°的微孔，為（wéi）存儲器和傳感器的三維集成鋪（pù）平（píng）道路。